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| Variacion | LIMA |
| X |
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (BR) CEO = 400 V (Min)
-Alta velocidad de conmutación
-Alta fiabilidad
DATASHEET
Caracteristicas
-Transistor de potencia NPN de silicio
-Voltaje de ruptura del colector-emisor: V (BR) CEO = 400 V (Min)
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