Tipo: Diodo de recuperación rápida (Fast Recovery)
Tensión máxima inversa (VRRM): 100 V
Corriente promedio rectificada (IO): 1 A
Corriente de sobrecarga (IFSM): ~30 A
Caída de voltaje directo (VF): ~1.1–1.2 V a 1 A
Tiempo de recuperación inversa (trr): ~200 ns
Corriente de fuga inversa (IR): <5 µA a temperatura ambiente
Capacitancia de unión: ~15 pF
Rango de temperatura de operación: –65 °C a +150 °C
Encapsulado: DO-41 (axial)