Tipo: Diodo de barrera Schottky
Corriente promedio directa (IO): 2 A
Tensión máxima inversa (VRRM): 100 V
Caída de voltaje directo (VF): hasta ~0,85 V a 2 A
Corriente de pico de sobrecarga (IFSM): hasta 50 A (pico de impulso)
Corriente de fuga inversa (IR): baja (depende de la temperatura)
Capacitancia de unión (CJ): ~110 pF (medida a condiciones típicas)
Rango de temperatura de operación: de –55 °C a +125 °C
Rango de temperatura de almacenamiento: –55 °C a +150 °C
Encapsulado: DO-15 (axial)
Tecnología: protección con guard ring para transitorios y ESD