Especificaciones:
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pd - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds| - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs| - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id| - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tj - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)| - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qg - Carga de la puerta: 61(max) nC
tr - Tiempo de subida: 73 nS
Coss - Capacitancia de salida: 590 pF
Rds(on) - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Pd - Máxima disipación de potencia: 150 W
|Vds| - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs| - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id| - Corriente continua de drenaje: 19 A
Tj - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)| - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qg - Carga de la puerta: 61(max) nC
tr - Tiempo de subida: 73 nS
Coss - Capacitancia de salida: 590 pF
Rds(on) - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB