Tipo de transistor: MOSFET N‑Channel
Voltaje drenador‑fuente máximo (V_DS): 30 V
Voltaje puerta‑fuente máximo (V_GS): ±20 V
Corriente continua de drenador (I_D): hasta 86 A
Corriente de pulso: ~340 A
Resistencia en conducción (R_DS(on)): ≤ 5.8 mΩ a V_GS = 10 V, ≤ 8 mΩ a V_GS = 4.5 V
Carga de puerta (Q_g): baja para permitir conmutación rápida
Potencia máxima disipada: 75 W
Temperatura de operación: hasta 175 °C
Paquete: D‑PAK / TO‑252 (SMD)
Tecnología: Trench MOSFET de baja impedancia de puerta
Cumplimiento ambiental: RoHS