Descripcion:

El OSG65R099HZ es un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) de potencia de canal N de alto voltaje, diseñado para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas. Utiliza tecnología avanzada GreenMOS® para ofrecer baja resistencia en estado activo (Rds(on)) y características de conmutación rápidas.
Especificaciones Principales del Producto
Características:
Voltaje Drenaje-Fuente (Vds): 650 V
Corriente de Drenaje Continua (Id): 38 A (a Tc=25°C)
Resistencia en Estado Activo (Rds(on)): 99 mΩ (máx. a Vgs=10V)
Encapsulado :TO-247
Carga de Puerta Total (Qg): 42.6 nC nC
Temperatura de Operación: -55 a 150 °C