Tipo: Driver de puerta MOSFET, salida no inversora
Corriente pico de salida (source/sink): hasta 6 A
Resistencia de salida: baja, para minimizar pérdidas de conmutación
Tiempo de propagación (delay): muy corto para asegurar conmutación rápida
Tiempos de subida (rise) y bajada (fall): optimizados para manejar cargas capacitivas elevadas
Tensión de alimentación (VDD): desde 4.5 V hasta 18 V
Corriente de alimentación en reposo: muy reducida cuando la entrada está en estado alto
Compatibilidad de entrada: señales CMOS y TTL
Margen de entrada: tolera niveles de señal negativos moderados sin daño
Protección ESD: diseño robusto para resistir descargas electrostáticas
Rango de temperatura de operación: amplio para aplicaciones industriales