Descripcion:

El IXFP22N65X2 de IXYS es un transistor MOSFET de canal N de la serie Ultra Junction X2 HiPerFET, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y alta eficiencia.

Especificaciones:

El IXFP22N65X2 es un MOSFET (Transistor de Efecto de Campo Metal-Óxido-Semiconductor) unipolar de canal N con las siguientes especificaciones clave, según las hojas de datos:
Tensión Drenaje-Fuente (Vdss): 650 V
Corriente de Drenaje Continua (Id) a 25°C: 22 A
Disipación de Potencia Máxima (Pd): 390 W
Resistencia en Estado Conducido RDS(on): (Máx) 160 mΩ @ 11A 10V Vgs
Tensión Umbral de Puerta (Vgs(th)): 2.7 V (típico) / 5.5 V (máx)
Carga de Puerta (Qg): 38 nC (típico) @ 10V
Encapsulado: TO-220-3 (Through Hole)
Tiempo de Recuperación Inversa del Diodo Intrínseco: 145 ns